ALDは真空装置内に設置した基板上に原料化合物の分子をモノレイヤーごとに
- 表面へ吸着・反応による成膜
- パージによる余剰分子の取り除き
のサイクルを繰り返し行うことによって原子層を一層ずつ積み上げる成膜方法です。
【ALDの利点】
- 一原子層レベルのコントロールにより、nm領域の膜厚制御が可能
- 膜厚分布や組成が均一で段差被覆性に優れた薄膜
- ピンホールフリーの緻密な薄膜
- 比較的低温での製膜も可能
近年様々なアプリケーションへの応用が飛躍的に増加し、半導体、化合物半導体デバイスのほか、MEMS/NEMS (micro/nanoelectromechanical systems)、光学薄膜、レーザー薄膜、コーティング、腐食防止、太陽電池などに代表される再生可能エネルギー、医療機器、生体材料、湿気防止のバリアー、装飾品のコーティング、ガラスのクラック防止の保護膜など…さまざまな分野に広がりを見せています。