受託成膜

半導体デバイス製造技術とともに発展してきた薄膜堆積技術は今やさまざまな分野に応用されています。
精密機器・部品用耐腐食コーティング、自動車部品や掘削工具用耐摩耗コーティング、フレキシブルデバイスや食品包装用樹脂へのガスバリア用コーティングなど、既存の対象物の表面に特徴を持った新たな薄膜を均一につける技術が付加価値を生み出しています。
今後もその応用範囲はさらに広くなると予想され、半導体をはじめ電子デバイスでは今までに使用されていなかった元素をメタルとして、あるいはその酸化物や窒化物を高アスペクトな構造へ均一に埋め込む手法の開発が求められています。

当社では、お客様のご要望に応じた材料の選定・合成・精製から成膜試験、そこからの材料へのフィードバックなど、材料のスクリーニングと基本的なプロセス開発を一貫して行えます。
お客様のニーズに合わせた最適な材料やプロセスをご提案し、豊富なバリエーションの装置で成膜試験を承ります。

✔ 小さな基板でいいからどんな条件でどんな膜ができるか確認したい。
✔ 社内で成膜加工を行っているが、新たな事業を立ち上げるにあたり、装置設計や改造の仕様・成膜条件を実ガスである程度見極めたい。

… そんなご要望はありませんか?

あるいは、

✔ 導入を検討しているが成膜できるかどうか全く見当がつかない。
✔ 導入リスクが高すぎて既存装置を使えない。
✔ 初期評価ですら装置・環境準備に時間がかかりすぎる。

…などのさまざま理由で着手できず、諦めてしまっている事案はありませんか?

当社では、新規化合物の試験成膜・化合物群のスクリーニング、プロセス評価・開発を存分に行っていただける環境を準備しています。
お客様のリスクを低減すると共に、開発コスト・期間を大幅に削減・短縮し、新事業立ち上げの機会をサポートします。
お客様のご要望に応じ、ガスライン、加熱方式、プラズマ処理などの諸条件変更にも対応しますので、お気軽にご相談ください。

Arガス

Arガス


Arガスをベースにした、プラズマ処理を行っています。

H2ガス

H2ガス


H2プラズマを用いた 還元処理が可能です。

SF6ガス

SF6ガス


SF6ガスを用いたクリーニングが可能です。

G-Box内でのウェハー処理

G-Box内でのウェハー処理


チッ素環境でのウェハー処理も行えます。

成膜試験で検討される項目例

【成膜材料】

化合物の構造、ボトル形状、気化温度、ガス流量、キャリアガス流量、化合物の安定性など

【ガス】

酸化用ガス種、窒化用ガス種、流量など

【装置】

成膜温度、チャンバー圧力、成膜方法、基板依存性、埋め込み特性など

成膜材料の熱安定性や分解温度、蒸気圧などの化合物情報を化学分析や測定により取得する一方、実際に成膜装置を用いて試験することでより明確な装置開発の仕様を確立することが出来ます。

ald-cvd-system
JACが所有する装置をご紹介いたします。
実際にこれらの装置とプリカーサーを使って、成膜実験を行なって頂けます。
当社ではプリカーサー・プロセス評価用にUHV仕様のCVD, ALD装置と1000℃までの高温CVD・ALD装置を設置しています。
またより簡易な評価用装置として650℃まで対応可能なHot wall CVD, ALD装置を準備しています。
酸化剤もH2O, O2, 高濃度オゾン(500g/m3以上)、N2Oなど、状況に応じた酸化剤をご利用いただけます。還元用および窒化用ガスとしてNH3もご用意しています。
UHV仕様のCVD,ALD装置 高温CVD,ALD装置 Hot wall CVD,ALD装置
UHV仕様のCVD, ALD装置 高温CVD・ALD装置 簡易な評価用装置で、650℃まで対応可能なHot wall CVD,ALD装置。
構造がシンプルなので、従来よりも蒸気圧が低い材料にも対応可能。
プリカーサー・プロセス評価用のUHV仕様のCVD,ALD装置。
全12ラインのガス種に加え、ご要望に応じたラインの増設も可能。
プリカーサー・プロセス評価用の1000℃まで使用可能な高温CVD・ALD装置。
 

UHV CVD・ALD装置

仕様 ロードロック付き超高真空仕様、使用ポンプ:TMP・MBP・RP
ステージ温度 ~500℃程度
ガス種 現在4系統+キャリア&希釈ガス(全12ライン)
プリカーサー Si, Al, Ta, Hf, Pt, Ni, Co他各種有機金属材料
酸化剤 水・酸素・N2O・高濃度オゾン 等
還元ガス H2, NH3
除害 アルカリスクラバー
備考 平行平板型プラズマ (RF電源:13.56MHz/1.5kW)
その他ラインの変更・増設可能
ALDシーケンスの変更可能
ICPの設置可能
L/LへICPを設置し、前処理可能
スプリード社製装置
 

高温CVD・ALD装置

仕様 超高真空仕様、TMP・MBP・RP
温度範囲 ~1000℃程度
ガス種 現在2系統+キャリア&希釈ガス
プリカーサー Si、B系など高温アプリケーション用材料
酸化剤 NA
還元ガス NH3
除害 アルカリスクラバー
備考 その他ラインの増設可能
ALDシーケンスの変更可能
排気ラインでのQ-MS測定可能
スプリード社製装置
 

Hot wall CVD, ALD装置

仕様 簡易成膜装置
温度範囲 650℃まで
ガス種 適宜
プリカーサー 適宜
酸化剤 水・酸素・オゾン・N2O
還元ガス NH3
除害 アルカリスクラバー
備考 JAC社製簡易成膜装置
 

お問い合わせ

弊社の製品、技術、サービスに関するご質問はもちろん、お客さまのニーズに合わせた受託成膜・各種カスタマイズにつきましても、お気軽にお問い合わせください。

お問合わせ内容に関する機密事項は厳守いたします。